10亿押注SiC模块，利普思扬州基地封顶

无锡利普思半导体扬州生产基地在扬州市江都区封顶，该项目为车规级第三代功率半导体模块项目，总投资10亿元，一期投资2亿元，占地32亩，达产后将形成年产150万只SiC模块的能力，预计2027年4月通线。