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利普思扬州车规级SiC模块基地封顶

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AI 综述

2026年10月20日,盖世汽车报道,无锡利普思半导体位于扬州市江都区的扬州生产基地封顶。该基地为车规级第三代功率半导体模块项目,总投资10亿元,一期投资2亿元,占地32亩;达产后将形成年产150万只SiC模块的能力,预计2027年4月通线。

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报道时间线

沿着报道,了解事件的不同侧面。

10月20日
  1. 盖世汽车
    10亿押注SiC模块,利普思扬州基地封顶

    无锡利普思半导体扬州生产基地在扬州市江都区封顶,该项目为车规级第三代功率半导体模块项目,总投资10亿元,一期投资2亿元,占地32亩,达产后将形成年产150万只SiC模块的能力,预计2027年4月通线。

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